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台積電等3巨頭 掀動電晶體未來10年大革命
2024/01/11 07:01
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台積電正研究新的3D晶片架構CFET，可望解決當今最先進的奈米片技術存在的縮放問題。
（路透）
〔記者吳孟峰／綜合報導〕科技新聞媒體EE Times報導，全球晶片產業的3巨頭英特爾、
台積電和三星正在「認真」研究一種新的3D晶片架構，垂直堆疊式 （CFET） 場效電晶體
架構可望解決當今最先進的奈米片技術持續存在的縮放（Scaling）問題。
這3大晶片製造商首次在去年12月的國際電子元件會議 （IEDM） 上發表演講，暗示他們
將在十年內實現CFET場效電晶體架構的商業化。
比利時微電子研究中心IMEC的CMOS元件專案總監Naoto Horiguchi表示，所有的晶片業巨
頭包括英特爾、三星、台積電，都展示他們的最新研究成果。
在CFET時代到來之前，晶片行業將經歷3奈米片架構，以及靜態隨機存取記憶體（SRAM）
等已經停止縮小尺寸的互補式金屬氧化物半導體（CMOS）組件相關問題。IMEC表示，縮小
規模的停滯將迫使高效能運算晶片的設計者分解 SRAM等CMOS功能，並採用將舊技術節點
和小晶片拼接在一起的解決方法。
外媒 eNewsEurope日前也報導，由於英特爾和台積電的努力，使得CFET將成為十年內最可
能接替閘極全環電晶 （GAA） 電晶體的下一代先進製程得以實現。
電晶體大小有其物理限制，但事實上除藉由縮小電晶體之外，還可以利用3D堆疊電晶體的
方法，利用相同大小的電晶體，提升單位面積電晶體密度，降低等效電晶體大小。
晶片產業現在遇到的瓶頸則是「Dennard 縮放比例定律」（Dennard Scaling）的失效，
意味著「處理器功耗」已經達到極限。Dennard 縮放比例定律說明，當電晶體愈做愈小，
電容跟電壓都會變小（註 3），因此能耗也會跟著變小。
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→ jeangodard : 斷 終於有高水準的新聞了 01/12 00:06
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推 hensel : 正在「認真」研究 => 以前都不認真？ 01/12 07:23
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