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→ articbear: 5000A太淺了吧 覺得應該看不到...02/10 14:53
→ resudi: 光阻的折射率跟二氧化矽太接近了02/10 15:16
推 youkiller: 就機台差異啊 當你有一台6000萬的機台 你就不會有這02/10 15:23
→ youkiller: 個問題了 學校呵呵02/10 15:23
→ poemsing: 列幾種可能：（1）第一道蝕刻吃太淺，導致align mark蓋02/10 15:32
→ poemsing: 上光阻後不明顯。（2）anneal的thermal budget沒算好，02/10 15:32
→ poemsing: 導致oxide還是amorphous。(3)確認第二道mask 是不是沒la02/10 15:32
→ poemsing: yout align mark，很蠢，但是真的有可能……(4)OM or SE02/10 15:32
→ poemsing: M設定錯誤，OM焦距對比調看看/SEM 能量調高點02/10 15:32
推 m4vu0: 去問邱主任的實驗室學生02/10 15:33
推 rgnvgy: 我覺得是p大說的3，la mark 問題 沒有或線寬太小02/10 15:58
噓 sendtony6: 1.5um 很厚好嗎...另外你跑錯地方了02/10 16:04
→ sendtony6: OM的DOF是nm等級的~你蓋那麼厚看不到前層是很正常02/10 16:06
→ sendtony6: 4樓亂教 SEM只看的到當層~跟SEM一點關係都沒有02/10 16:12
推 melzard: 有沒有試過把光阻拔掉再去看一下alignment mark?02/10 16:32
推 melzard: OM就看不到的話那和SEM就無關聯了02/10 16:34
推 gj942l41l4: 在MEMS來說1.5um是薄沒錯02/10 16:54
推 gj942l41l4: 你要不要試試看 整片不曝直接顯影 再拿去外面的OM或02/10 17:00
→ gj942l41l4: 可能線寬太細了 外面強光看得到的話 可能把mark的線02/10 17:03
→ gj942l41l4: 寬加大試試02/10 17:03
推 film: Level sensor?02/10 17:07
推 gj942l41l4: 反正只要不是蝕刻沒吃出來或光阻流不進去 一切好談02/10 17:10
→ gj942l41l4: aligment mark的線寬不會影響你實際成品的功能 02/10 17:11
→ shaddle: 如果你的AM只有0.5um深，看不到很正常02/10 17:32
→ articbear: 同意樓上S大 我的意思就是5000A要當AM太淺了吧QQ02/10 18:06
推 articbear: 我之前學生時代做的MOS第二道光罩要對的AM是用metal ga02/10 18:08
→ articbear: te順便一起做的 02/10 18:08
推 sendtony6: 製作前段STI的PR都很薄，因為resolution才夠，1.5 um這 02/10 18:24
→ sendtony6: 種都是後段甚至是封裝業在使用的02/10 18:24
→ wzmildf: 封裝都馬十幾um在摳的02/10 19:34
推 lponnn: thermal budget不是這種用法吧?02/10 21:07
→ lponnn: 抱歉會錯意惹02/10 21:28
推 ricyear: 電子顯微鏡看不到前層拉 業界都是用雷射光源反射訊號對02/10 21:48
→ ricyear: 準然後用可見光量測結果拉 02/10 21:48
推 jkasc28s: 你sio2離子佈值完就洗掉了吧，要一個KEY光罩先RIE基板吃 02/10 22:15
→ jkasc28s: 出key圖形方便後面對準 02/10 22:15
推 joshhuang100: 以前用om勉強能看出500a深的Trench你這沒理由看不到 02/11 08:01
推 j2222222229: 學校機台的問題，有個方法是可以用負光阻搭配oxide02/11 11:11
→ j2222222229: 做微影變化02/11 11:11
推 iFann: GG的N28開始double paterning製程段就有這樣狀況02/11 12:01
→ iFann: 上光阻時有三層(有一層含Si),要搭配不同蝕刻薄膜的連續製程02/11 12:03
→ iFann: 才能做完(我講的很模糊,關係人應該知道是哪段)02/11 12:03
推 ming5566: 多一道光罩隨便co個金屬上去當AM不就好惹02/11 12:25
推 ticketwoon: 一開始先在空地做alignment mark吧。選Au or Ti 加上02/11 14:39
→ ticketwoon: lift off process 02/11 14:39
推 S0053011: 想法同上層,但你後面的mark應該要打掉重來，有金屬當mar02/11 19:07
→ S0053011: k比較好02/11 19:07
推 lolitass: 看不懂Orz02/11 19:45
推 ann167c: 同樓上，建議先作一個第0層mark，金屬比oxide的辨識度高 02/12 22:34
推 giggs11s: 某S6大不要亂教好嗎...，STI層薄是因為DOF小，膜厚才薄 03/04 00:28
→ giggs11s: ，還有FEOL也是有光阻厚的層，有些離子注入層是使用厚 03/04 00:28
→ giggs11s: 光阻 03/04 00:28