[問題] 半導體元件GIDL 的解法討論

https://imgur.com/a/WgFKoML 【題目】(題目的文字敘述，如有圖片亦可提供圖片) 對於GIDL的解法網路上都是打LDD。降低GATE下方的基板濃度來解決 【瓶頸】 但是目前有一些疑問 1.對於LDD改善的原因 GIDL發生主要是S/D擴散到Gate下方形成OVL 在Drain跟gate有大壓差下，Drain跟gate中間的substrate產生BTBT形成電子電洞對 LDD會降低substrate濃度；這樣會讓能帶圖中的斜率變得趨緩，增加BTBT形成的難度 這樣想是對的嗎? 2.LDD濃度對GIDL的改善應該會有極限 濃度打太淡會改善不大；但想不到打太濃會造成什麼影響? 能想到的可能有 Vt shift/roll off shrot channel effect? google上找不太到相關的討論想與各位請益 -- 當一個Jungle，並不是要到處GANK 吃野怪 而是要在隊有心中，種下一顆希望的種子 --
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