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南韓媒體：長江存儲NAND快閃記憶體技術 只差南韓2年
大陸對記憶體產業的支持力度加大，過去幾年取得了長足進步，南韓「韓國商業」（
Business Korea）報導，在NAND 快閃記憶體領域，大陸企業的長江存儲，與韓企的差距
已縮短至2年，雙方差距正在快速地消失中。
報導指出，大陸在DRAM 技術方面與三星、SK 海力士等領先企業仍存在5年以上的差距。
報導分析，其中主要原因在於NAND快閃記憶體技術的壁壘相對低一些，使得大陸追趕速度
不斷加快，因此差距縮小得更為明顯。
其中，大陸最大的記憶體半導體企業長江存儲，在2022年快閃記憶體峰會（FMS）上，發
布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第4代3D TLC快閃記憶體晶片，名為X3-9070。
長江存儲也領先於三星和SK海力士，實現了更高層數的NAND快閃記憶體晶片的量產，回擊
了外界質疑的聲音。
去年一年裡，大陸存儲晶片業者來自大陸政府與官方主導投資基金投入近人民幣500億（
新台幣2145億元），持續且大量的資金投入支援確實能取得效果，一方面是技術的追趕，
另一方面是更快的市場滲透。
隨著半導體電路小型化逼近極限，大陸可能會抓住另一個縮小技術差距的機會，就是先進
封裝技術。這種高性能、多晶片的封裝被視為突破半導體小型化限制的關鍵。
目前大陸是全球第二大封裝技術市場，有著較為完善的生態系統，長電科技、通富微電和
華天科技都進入了全球10大半導體封裝企業的前10名，而韓國沒有一間公司出現在榜單上
。
前不久長江存儲在美國加州法院，控告美光科技及全資子公司美光消費產品公司侵犯其專
利。長江存儲表示，美光使用長江存儲的專利技術，以抵禦來自長江存儲的競爭，並獲得
和保護市佔。
報導指出，這等於是直接展示了大陸廠商在NAND快閃記憶體上突飛猛進的進步成果。
https://udn.com/news/story/7333/7595419
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