傳台積電N3E良率進展超預期 或將提前6個月投產

傳台積電N3E良率進展超預期 或將提前6個月投產 集微網消息，據科技網站Tom's handware報導，台積電N3E工藝良率超預期，N3E SRAM的 良率明顯高於N3。 近期，一份台積電內部資料被洩露，資料顯示N3E工藝發展十分順利，良率表現突出，可 提前約六個月投入生產。其中256Mb SRAM的平均良率約為80%，移動設備以及HPC晶片的良 率也為80%左右，經過良率驗證的環形振蕩器性能優於92%。 摩根士丹利在3月發佈報告指出，台積電第一代3nm製程（N3）的改良型N3e製程進展順利 ，將在3月底前完成N3e製程設計流程。 《工商時報》也曾報導，N3E 工藝將會成為各大廠商量產主力，包括蘋果 iPhone 15 系 列的的A17處理器、下一代的M3處理器，還有AMD未來的 Zen5等等。台積電尚未回應此報 導。 --
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