[新聞] DRAM 發明人 Robert Dennard 辭世,縮放

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作者 hihihihehehe (遠離塵囂)
時間 2024-05-08 00:43:36
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1.媒體來源: 科技新報 2.記者署名: Atkinson 3.完整新聞標題: DRAM 發明人 Robert Dennard 辭世,縮放定律影響半導體 30 多年 4.完整新聞內文: 作者 Atkinson | 發布日期 2024 年 05 月 06 日 13:00 | 分類 半導體 , 科技史 https://reurl.cc/YE8opo DRAM 記憶體發明人 Robert Dennard 於 2024 年 4 月 23 日逝世,享壽 91 歲。 IBM 官網指出,Robert Dennard 於 1932 年 9 月 5 日出生於美國德州特雷爾,1958 年 獲卡內基理工學院電氣工程博士學位,加入 IBM 擔任研究員。早年任職 IBM,研究金屬 氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 設計和電路應用,1960 年代記憶體需求日漸提升, 主流磁芯隨機存取記憶體卻面臨密度、成本、性能極限。 Robert Dennard 從事金屬氧化物半導體(MOS)記憶體開發,但速度過慢、消耗過大晶片 面積,偶然下 Robert Dennard 腦中浮現靈感,覺得可用單電晶體電容器帶電正負記錄數 據,反覆充電達成數據動態更新,測試成功後就是日後 DRAM 記憶體的基礎。 Robert Dennard 和 IBM 於 1968 年獲得了 DRAM 專利,該技術在 1970 年投入商用後, 以其低成本、低功耗、結構簡單的優勢使磁芯隨機存取記憶體迅速退出市場,並推動了資 訊電信技術的快速進步。另外,DRAM 記憶體還與第一批低成本微處理器一同加速了電腦 的小型化,以 Apple II 為代表的早期個人電腦得以在商業上獲得成功,也為現在的行動 設備打開了市場。 Robert Dennard 還提出著名的登納德縮放定律,電晶體越來越小,功率密度將保持不變 ,因此功率消耗與面積成反比,電壓和電流與長度成反比。這條規律統治半導體業界 30 多年,與摩爾定律、阿姆達爾定律並稱半導體產業三大定律。 https://reurl.cc/QR4ogb (首圖來源:IBM) 5.完整新聞連結 (或短網址)不可用YAHOO、LINE、MSN等轉載媒體: https://reurl.cc/9vV9qv 6.備註: --
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