[請益] 請問MRAM RRAM 未來發展與市場

MRAM：磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory） RRAM:電阻式隨機存取記憶體（Resistive Random Access Memory） 都是新興的記憶體技術 想請問板上專家們，如何看這兩種記憶體技術的發展如何？ 是否未來未來會很有市場 感覺可能可以吃到未來的edge AI的市場？ 不知道版友們怎麼看，謝謝 --
※ 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.137.254.183 (臺灣)
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推 oysteromele: 兩個記憶體取代DRAM高功耗。但DRAM市 36.236.253.115 07/04 22:13

→ oysteromele: 場捲的差不多了。如果量產[會挑戰PC 36.236.253.115 07/04 22:13

→ oysteromele: 既有的配置]未來我選2,磁阻技術目前 36.236.253.115 07/04 22:13

→ oysteromele: 只有在MEMS(螺旋儀）比較成熟，電阻 36.236.253.115 07/04 22:13

→ oysteromele: 技術比較好控制。個人淺見！ 36.236.253.115 07/04 22:13

噓 pf775: 都會被臺積電屌打吧 114.136.130.21 07/04 22:47

→ oysteromele: G的新聞稿有…你可以自己查XD 36.236.253.115 07/04 22:50

推 tony890415: eflash 的升級版吧 39.12.41.19 07/05 01:21

→ jumpout: RRAM未來大於MRAM, 都已有產品量產但能 176.2.184.128 07/05 01:26

→ jumpout: 否爆量還難說, 其他請見台積說法。 176.2.184.128 07/05 01:26

推 Narcissussss: 台積不是有部門在做RRAM 101.12.234.162 07/05 03:50

推 kyle5241: 你是不知道這些最強的都是GG嗎… 180.177.1.138 07/05 07:21

→ kyle5241: 車用晶片都是用它們的。製程最先進 180.177.1.138 07/05 07:21

→ kyle5241: 國家也是它們的，好像已經做到20奈 180.177.1.138 07/05 07:21

→ kyle5241: 米了 180.177.1.138 07/05 07:21

推 twTesla: 直接看GG的論壇或新聞稿 27.52.6.71 07/05 09:29

→ douge: 氧化物最近有很多突破 選RRAM140.112.175.204 07/05 09:33

推 OFETMAN: 兩個性價比都很低 取代dram作夢，特殊應 42.72.155.2 07/05 13:45

→ OFETMAN: 用就潮而已也不是非它們不可，現況如此但 42.72.155.2 07/05 13:45

→ OFETMAN: 未來不好說，真要比 R比較有希望 42.72.155.2 07/05 13:45

推 crazyha: 之前看報導 目前1MB就要賣好幾百 到家用 49.218.143.182 07/05 17:21

→ crazyha: 還挺早的fu 49.218.143.182 07/05 17:21