[新聞] 隨著Imec突破GaN技術，加劇GaN與SiC在高

原文標題： 隨著Imec突破GaN技術，加劇GaN與SiC在高電壓應用競爭 (請勿刪減原文標題) 原文連結： https://bit.ly/3tCv76G (請善用縮網址工具) 發布時間： 2021年5月10日 (請以原文網頁/報紙之發布時間為準) 原文內容： 功率電子和汽車的需求不斷成長，使得化合物半導體的前景逐步看俏。畢竟，SiC與GaN在 較少的功率消耗下，具有較高的效率，已經成為航空太空、軍事和國防，以及汽車等領域 ，趨之若鶩的技術。 基本上，SiC和GaN半導體已開始用於車載充電、EV變頻器、和太陽能變頻器之中。但是， SiC比GaN貴，並且具有耐高壓的能力，因此SiC主要是用於電動車中有高附加值的應用領 域。到目前為止，電動車等高電壓（1200V）應用只能使用SiC技術。 但是隨著，半導體研究所Imec和設備製造商Aixtron已成功製造了適用於8吋晶圓的1200V 應用的GaN緩衝層之後，這一情況將改觀。 Imec是比利時研究實驗室，於2019年營收總計為6.4億歐元。而Aixtron是領先的GaN半導 體製程的MOCVD設備供應商。 基本上，8吋晶圓的GaN-on-Si技術要獲得650V以上工作電壓，一直是一種挑戰，因為要在 8吋的矽晶片上生長足夠厚的GaN緩衝層很困難。這一次Imec採用Aixtron的設備，已經開 發了適用於Qromis QST基板上1200V應用的GaN緩衝層外延生長，從而能夠實現與常規CMOS 類似的處理。展望未來，基於GaN的技術應可在20V至1200V的範圍內應用。 基本上，採用了比SiC便宜的GaN技術，這使得高性能化合物半導體的生產，將變得更加活 躍且具商機。在GaN半導體製程中，用於GaN層沉積的MOCVD設備非常重要。目前MOCVD設備 主要由美國的Veeco和德國的Aixtron製造。這樣的發展將對相關產業將產生影響。 根據Verified Market Research的數據，2020年全球GaN半導體器件市場的價值為16.3億 美元，預計到2028年將達到55.3億美元，從2021年到2028年的年平均複合成長率為16.53% 。如果未來GaN能夠拓展更多應用領域，其成長潛能將會加大。 2020年1月，Qromis獲得了由日本SPARX的未公開投資，其中很大一部分資金是來自於豐田 汽車。此外，Qromis還與日本信越化學簽署了專利授權協定，信越負責生產QST基板和 GaN-on-QST外延晶圓；而信越將借助QST基板擴充其現有的GaN-on-Si產品陣容。 由於，Qromis主要代工合作夥伴是Vanguard國際半導體（VIS），將關鍵技術授權給台積 電。這給GaN晶片大量生產，進而挑戰SiC地位帶來了希望。畢竟，具價格優勢的GaN，有 機會於未來一段期間，逐步打開電動車等高電壓應用的市場大門。 心得/評論： ※必需填寫滿20字 半導體研究中心成功開發出高電壓GaN晶圓材料，有機會擴展GaN在電動車上的應用，與 SiC競爭。 --
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推 kenet123 : 995 05/11 14:13

→ luche : 現在沒空啦 05/11 14:13

→ knight32907 : 沒空 05/11 14:13

噓 peatle : 說中文 05/11 14:13

推 Merkle : 穩套 05/11 14:15

→ greyyouth : GAN是什麼 05/11 14:16

推 pipi2 : 營收嚇死人，利潤笑死人 05/11 14:16

推 cuteSquirrel: 第三代概念股 05/11 14:18

推 nangaluchen : SiC比較便宜吧 技術成熟太多了 05/11 14:19

→ qoo55253 : 鎵好像很貴 05/11 14:19

→ fitnessboyz : 逃命了啦還在傻多 05/11 14:19

→ nangaluchen : 而且GaN不耐高溫才是根本原因 05/11 14:20

推 gk1329 : 一堆外行亂講一通 快笑死 05/11 14:21

→ nangaluchen : 要在車上用GaN 是很冒險的事 05/11 14:21

→ nangaluchen : 比便宜 不如IGBT 比耐壓耐溫 不如SiC 05/11 14:21

推 fishfi : 沒空 05/11 14:21

推 d555dog5 : 99 3105 05/11 14:22

→ gk1329 : GaN長在SiC上是因為晶格結構寬度相近 才能長出高品 05/11 14:22

→ gk1329 : 質的磊晶 05/11 14:22

→ gk1329 : 長在矽晶圓上，因為晶格差異太大 缺陷多 05/11 14:23

→ gk1329 : 現在有技術是長在矽晶上 缺陷可以壓低 05/11 14:24

→ gk1329 : 好處就是矽晶圓便宜到不行 又超大片 成本超低 05/11 14:25

推 nangaluchen : 他現在就是要在矽上先長一層GaN 05/11 14:25

→ nangaluchen : 然後再用那層薄薄的GaN來長 05/11 14:25

→ gk1329 : 磊晶品質好的GaN 好處就是耐壓高 效率也比較好 05/11 14:26

→ nangaluchen : 但我覺得這技術還有很長一段路啦 05/11 14:26

→ gk1329 : 效率好代表發熱小 變壓器轉換效率高 05/11 14:28

→ transfight : QQ鬼扯～要營收獲利起碼要5年以上！ 05/11 14:29

推 dos1019 : VIS不就世界先進 05/11 14:30

推 nangaluchen : GaN的耐熱度太差了 要在高溫環境下運行 05/11 14:31

→ nangaluchen : 其耐電壓的能力會比SiC差 而且有安全疑慮 05/11 14:31

噓 dymagic : 沒空 05/11 14:35

推 Jcheng1004 : GaN的應用會來自高頻和低功率快充 SiC才是車用 05/11 14:44

推 hellk : 這邊只會猜大小，你PO這個來幹嘛 05/11 14:48

推 la8day : 強茂還在騙 幹 05/11 15:00

→ enso : 8吋GaN, 6吋SiC 05/11 15:08

推 xdseaw : 嘉晶? 05/11 15:59

噓 SUZUKI5566 : 沒空 05/11 16:14

推 apolloapollo: 真的沒空 05/11 16:23

推 Brusolo : 這邊一堆文組，可能還以爲GaN是幹勒，會跟你說股市 05/11 20:01

→ Brusolo : 就是賭博炒作，沒在看基本面derla 05/11 20:01